Danas ćemo podijeliti druge korisne oblasti primjene ravnih -membrana od silicijum karbida. Plosnate -membrane od silicijum karbida u kombinaciji sa procesima aktivnog mulja u MBR predstavljaju scenarije niskog protoka (projektni fluks 25~60 LMH, procjedne vode iz deponije 25 LMH, kućna kanalizacija 60 LMH). Suprotno tome, plosnate membrane od silicijum-karbida-također imaju mnogo povoljnih scenarija rada sa visokim -protokom (projektivni fluks 150~1000 LMH).
U poređenju sa radnim scenarijima niskog{0}}protoka, plosnate membrane od silicijum karbida-definitivno su isplativije-isplativije u radnim scenarijima visokog-okreta.
Danas ćemo se fokusirati na primjenu ravnih membrana od silicijum karbida-u otpadnim vodama visoke{1}}zamućenosti u industriji poluprovodnika.
Glavni izvori -zamućenih otpadnih voda u industriji poluprovodnika su:
1. Čišćenje otpadnih voda nakon mljevenja vafla i rezanja na kockice (pozadinsko stanjivanje radi smanjenja debljine vafla; rezanje vafla na čips)
2. Čišćenje otpadnih voda nakon planarizacije
Tehnologija planarizacije u industriji poluprovodnika naziva se CMP (Chemical Mechanical Polishing). Osnovni princip CMP-a (kontinuirano poliranje) je rotacija pločice u odnosu na polirnu podlogu u prisustvu abrazivne suspenzije (kao što je otopina KOH koja sadrži koloidne SiO2 suspendirane čestice) uz primjenu pritiska, čime se postiže poliranje mehaničkim brušenjem i kemijskim jetkanjem. Ova tehnologija će se nesumnjivo proširiti od planarizacije međuslojnih dielektrika (ILD), izolatora, provodnika, ugrađenih metala (W, Al, Cu, Au), polisilicijuma i kanala silicijum oksida u industriji poluprovodnika do polja obrade površine kao što su tanki-filmski mehanički diskovi za pohranu glave, MFMS, sistemi za pohranu magnetnih glava, MFMS abrazivi, precizni ventili, optičko staklo i metalni materijali.
Karakteristike visoko{0}}zamućenih otpadnih voda iz industrije poluprovodnika su sljedeće:
1. Visoka zamućenost, prvenstveno zbog visokih koncentracija finih čestica.
2. Niska provodljivost i nizak TOC.
3. CMP otpadna voda ima oksidirajuća svojstva.
Iz perspektive onečišćenja membrane, faktor zarastanja su jednostavno visoke koncentracije finih čestica. Metode fizičkog čišćenja su vrlo efikasne za regeneraciju membranskog fluksa. Niska provodljivost i nizak TOC znače nisku tendenciju organskog prljanja i kamenca, što rezultira dugim ciklusima hemijskog čišćenja.
Ovo je idealan scenarij primjene za tehnologiju membranskog odvajanja! U suštini je skrojen za rad početne filtracije!
Visoke koncentracije finih čestica znače da velike brzine protoka na površini membrane predstavljaju kontinuirani rizik od mehaničkog trošenja sloja za odvajanje membrane.
Prednosti tehnologije potopljene ultrafiltracije pomoću ravnih membrana od silicijum karbida za otpadne vode velike-zamućenosti u industriji poluprovodnika:
1. Visok fluks: membranski fluks Veći ili jednak 300 LMH, niski troškovi ulaganja;
2. Niska potrošnja energije: niski troškovi rada i održavanja;
3. Visoka stopa oporavka (do više od ili jednako 95%), u poređenju sa 75%~85% za organske membrane.
